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  1. Oct 2020
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    1. Majo1997 18 Oct 2020
      For many amorphous and crystalline semiconductors,an exponential dependence of absorption coefficientα<104cm−1may take Urbach’s empirical formula [28]:av=a0exphv/EU,wherea0is a constant andEU(Urbachenergy) is an energy characterizing the degree of disorderintroduced from defects and grain boundaries; also, it is inter-preted as the width of the tail of localized states associated withthe amorphous states in forbidden band. Figure 12 representsthe logarithm of absorption coefficient as function of thephoton energy at different deposition times 20, 30, 40, and50 min. The value ofEUis calculated from the inverse slopeof the linear part of curves and also listed in Table 3

      Para muchos semiconductores amorfos y cristalinos, una dependencia exponencial del coeficiente de absorción puede tomar la formula empírica de Urbach [28]:

      donde es una constante y (la energía de Urbach) es una energía caracterizada por el grado de desorden introducido de defectos y los limites de grano; también es interpretado como el amplio de la cos estados localizados de la cola asociados con los estados amorfos en la banda prohibida. La figura 12 representa el logaritmo del coeficiente absorción como una función del fotón de energía a diferentes tiempos de deposición (20,30,40 y 50 min). El valor de la energía de Urbach es calculado desde la pendiente inversa de la parte linear de las las curvas y también enlistado en la Tabla 3.

      Figura 12 Energía de Urbach Tabla 3
    2. Majo1997 17 Oct 2020
      The variation of bandgap energy (Eg) and Urbach energy(EU) of ZnS thinfilms with deposition times is shown inFigure 13. TheEgvalues of ZnSfilms decrease with increas-ing deposition time which is due to the agglomeration ofthe ZnS-NPs. The minimum value ofEUobtained at 20 minindicates a very weak absorption tail due to minimizeddefects and impurities which improves the transparencyand optical conductivity of thefilm coated at that time.

      La variación de la energía del band gap y de Urbach de las películas delgadas de ZnS con tiempos de deposición es mostrado en la figura 13. La valores del energía band gap de las películas ZnS decrecían con el incremento del tiempo de deposición lo cual es debido a la aglomeración de las ZnS-NPS. El valor mínimo de la energía de Urbach obtenido a 20 min indica una muy débil cola de absorción debido los defectos minimizados e impurezas que mejoran la transparencia y la conductividad óptica en el revestimiento de la pelicula en ese momento.

      Figura 13 Energía del band gap Energia de Urbach

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