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  1. Oct 2020
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    1. Majo1997 18 Oct 2020
      For many amorphous and crystalline semiconductors,an exponential dependence of absorption coefficientα<104cm−1may take Urbach’s empirical formula [28]:av=a0exphv/EU,wherea0is a constant andEU(Urbachenergy) is an energy characterizing the degree of disorderintroduced from defects and grain boundaries; also, it is inter-preted as the width of the tail of localized states associated withthe amorphous states in forbidden band. Figure 12 representsthe logarithm of absorption coefficient as function of thephoton energy at different deposition times 20, 30, 40, and50 min. The value ofEUis calculated from the inverse slopeof the linear part of curves and also listed in Table 3

      Para muchos semiconductores amorfos y cristalinos, una dependencia exponencial del coeficiente de absorción puede tomar la formula empírica de Urbach [28]:

      donde es una constante y (la energía de Urbach) es una energía caracterizada por el grado de desorden introducido de defectos y los limites de grano; también es interpretado como el amplio de la cos estados localizados de la cola asociados con los estados amorfos en la banda prohibida. La figura 12 representa el logaritmo del coeficiente absorción como una función del fotón de energía a diferentes tiempos de deposición (20,30,40 y 50 min). El valor de la energía de Urbach es calculado desde la pendiente inversa de la parte linear de las las curvas y también enlistado en la Tabla 3.

      Figura 12 Energía de Urbach Tabla 3

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